铝电解车间+半导体干法刻蚀双场景有毒有害气体监测方案 铝电解车间天车操作员室常年受HF、CO、SO₂侵袭,传统人工取样滞后,易漏报;半导体干法刻蚀区Cl₂、NF₃、WF₆、HF浓度极低却剧毒,一旦泄漏秒级伤人。两套场景均要求"秒级响应、数据可追溯、维护量低"。 半导体 车间 ppb 铝电解车间 铝电解 2025-09-22 19:04 4